[实用新型]一种改进的低温多晶硅型阵列基板

摘要

一种改进的低温多晶硅型阵列基板，所述低温多晶硅型阵列基板包括上层的信号线、次上层的控制线、中层的多晶硅、底层的遮光层，将遮光层附近的信号线加宽至原来宽度的150%－200%；信号线加宽的范围为以遮光层的中心为中心点，信号线接口外侧增加半个遮光层宽度至对称的信号线另一端的距离。本实用新型的有益效果是，由于加宽了遮光层附近的信号线，降低了此处信号线断开的风险。

主权项

一种改进的低温多晶硅型阵列基板，其信号线经过遮光层处的层状结构为，由上至下依次排列为：信号线、层间绝缘层、栅绝缘层、多晶硅、绝缘层、遮光层、玻璃基底，其特征是：所述遮光层附近的信号线宽度为3.0微米至4.0微米，所述宽度为3.0微米至4.0微米的信号线的长度为：以遮光层的中心为中心点，信号线接口外侧增加半个遮光层宽度至对称的信号线另一端的距离。