[实用新型]一种具有亚微秒量级上升和下降沿的脉冲高压电路有效
| 申请号： | 201720436780.3 | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN206650599U | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 刘志珍;常鸣;张培旭;杨洪广 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | H02M9/02 | 分类号： | H02M9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102413 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有亚微秒量级上升和下降沿的脉冲高压电路，包括逆变变压直流高压调节电路单元及半桥驱动斩波电路单元，所述的逆变变压直流高压调节电路单元输出直流高压，所述的半桥驱动斩波电路单元包括与波形发生器相连接的双路NMOS管和双路MOSFET管，双路NMOS管产生斩波脉冲，驱动双路MOSFET管对逆变变压直流高压调节电路单元输出的直流高压进行推挽斩波，输出上升沿和下降沿陡化的脉冲高压。本实用新型通过双路推挽驱动斩波可得到上升沿和下降沿不超过500ns的脉冲高压；通过斩波脉冲的数字化调节，可控制输出高压脉冲的频率、脉宽及输出脉冲数量，并可输出多种波形的复合脉冲。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 微秒 量级 上升 下降 脉冲 高压 电路 | ||
【主权项】：
一种具有亚微秒量级上升和下降沿的脉冲高压电路，其特征在于：包括逆变变压直流高压调节电路单元及半桥驱动斩波电路单元，所述的逆变变压直流高压调节电路单元输出直流高压，所述的半桥驱动斩波电路单元包括与波形发生器相连接的双路NMOS管和双路MOSFET管，双路NMOS管产生斩波脉冲，驱动双路MOSFET管对逆变变压直流高压调节电路单元输出的直流高压进行推挽斩波，输出上升沿和下降沿陡化的脉冲高压。
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