[实用新型]图像传感器像素和图像传感器有效
| 申请号： | 201720438274.8 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN207303096U | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | T·戈伊茨 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及图像传感器像素和图像传感器。所述图像传感器像素包括第一光敏区，所述第一光敏区存储电荷；第二光敏区；干线电路，所述干线电路包括电荷存储节点，其中所述第二光敏区基本上被所述干线电路和所述第一光敏区围绕；以及晶体管电路，所述晶体管电路被配置成将所述电荷从所述第一光敏区穿过所述第二光敏区转移到所述干线电路中的所述电荷存储节点。本实用新型解决的一个技术问题是为成像设备改善图像像素。本实用新型实现的一个技术效果是提供改善的图像传感器像素和改善的图像传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 像素 | ||
【主权项】：
一种图像传感器像素，包括：第一光敏区，所述第一光敏区存储电荷；第二光敏区；干线电路，所述干线电路包括电荷存储节点，其中所述第二光敏区基本上被所述干线电路和所述第一光敏区围绕；以及晶体管电路，所述晶体管电路被配置成将所述电荷从所述第一光敏区穿过所述第二光敏区转移到所述干线电路中的所述电荷存储节点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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