[实用新型]具有全局快门相位检测像素的成像系统有效
申请号: | 201720438300.7 | 申请日: | 2017-04-25 |
公开(公告)号: | CN206727072U | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | V·兰臣克夫;U·博提格 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供了一种图像传感器,所述图像传感器可包括具有全局快门相位检测像素的像素阵列。所述全局快门相位检测像素可包括全局快门电荷存储区。为了防止所述全局快门电荷存储区暴露于入射光,可提供屏蔽层。所述屏蔽层还可覆盖下面的光电二极管的部分以使所述下面的光电二极管对入射光产生不对称响应。所述屏蔽层可形成为具有吸收性金属的背面沟槽隔离。所述吸收性金属可吸收入射光,从而减小所述入射光到达所述电荷存储区的可能性。额外的吸收层还可设置在所述屏蔽层上或其中。 | ||
搜索关键词: | 具有 全局 快门 相位 检测 像素 成像 系统 | ||
【主权项】:
一种具有像素阵列的图像传感器,其中所述像素阵列包括:具有被第一微透镜覆盖的第一光电二极管的第一全局快门相位检测像素;具有被第二微透镜覆盖的第二光电二极管的第二全局快门相位检测像素;覆盖所述第一光电二极管的至少一部分和所述第二光电二极管的至少一部分的屏蔽层;以及形成在所述屏蔽层下面的电荷存储区,其中所述屏蔽层屏蔽所述电荷存储区免受入射光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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