[实用新型]提高UIS的超结MOSFET结构

摘要

本实用新型提供一种提高UIS的超结MOSFET结构，包括N+型衬底及形成于所述N+型衬底上的N‑型外延层，N‑型外延层包括元胞区和包围所述元胞区的终端区；元胞区中形成有至少一个晶体管单元，晶体管单元包括形成于所述N‑型外延层中的一对元胞区P柱；一对元胞区P柱顶端分别连接有一P型体区；P型体区顶部，形成有N+型体接触区和P+型体区；P型体区、N+型体接触区和P+型体区都位于N‑型外延层内；在元胞区范围内，N‑型外延层表面形成有栅极结构，所述栅极结构位于一对元胞区P柱之间；终端区的N‑型外延层中形成有至少一个终端区P柱。该结构能够提高MOSFET的雪崩耐量即UIS。

主权项

一种提高UIS的超结MOSFET结构，包括N+型衬底(1)及形成于所述N+型衬底(1)上的N‑型外延层(2)，其特征在于，所述N‑型外延层(2)包括元胞区(I)和包围所述元胞区(I)的终端区(II)；所述元胞区(I)中形成有至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括形成于所述N‑型外延层(2)中的一对元胞区P柱(203)；所述一对元胞区P柱(203)顶端分别连接有一P型体区(204)；P型体区(204)顶部，形成有N+型体接触区(208)和P+型体区(210)；P型体区(204)、N+型体接触区(208)和P+型体区(210)都位于N‑型外延层(2)内；与终端区非相邻的P型体区(204)顶部的N+型体接触区(208)分布在P+型体区(210)两侧；与终端区相邻的P型体区(204)顶部的N+型体接触区(208)分布在P+型体区(210)背离终端区的一侧；在元胞区(I)范围内，N‑型外延层(2)表面形成有栅极结构，所述栅极结构位于一对元胞区P柱(203)之间，与一对元胞区P柱(203)上方的N+型体接触区(208)分别接触；所述终端区(II)的N‑型外延层(2)中形成有至少一个终端区P柱(207)；终端区的N‑型外延层(2)表面形成有氧化绝缘层(209)。