[实用新型]超结MOSFET单结终端结构

摘要

本实用新型提供一种超结MOSFET单结终端结构，包括N+型衬底及形成于所述N+型衬底上的N‑型外延层；N‑型外延层包括元胞区和包围所述元胞区的终端区；元胞区中形成有至少一个晶体管单元，晶体管单元包括形成于所述N‑型外延层中的一对元胞区P柱；所述一对元胞区P柱顶端分别连接有一P型体区；P型体区顶部形成有N+型体接触区；在元胞区范围内，N‑型外延层表面形成有栅极结构，所述栅极结构位于一对元胞区P柱之间，与一对元胞区P柱上方的N+型体接触区分别接触；终端区中的N‑型外延层中形成有至少一个终端区P柱；与终端区相邻的P型体区向终端区延伸出P‑型体区，P‑型体区一直延伸到终端区的末端。该结果有利于提高终端耐压。

主权项

一种超结MOSFET单结终端结构，包括N+型衬底(1)及形成于所述N+型衬底(1)上的N‑型外延层(2)；其特征在于，所述N‑型外延层(2)包括元胞区(I)和包围所述元胞区(I)的终端区(II)；所述元胞区(I)中形成有至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括形成于所述N‑型外延层(2)中的一对元胞区P柱(203)；所述一对元胞区P柱(203)顶端分别连接有一P型体区(206)；P型体区(206)顶部形成有N+型体接触区(209)；P型体区(206)和N+型体接触区(209)都位于N‑型外延层(2)内；与终端区非相邻的P型体区(206)顶部间隔设有两块N+型体接触区(209)；与终端区相邻的P型体区(206)顶部在背离终端区一侧设有一块N+型体接触区(209)；在元胞区(I)范围内，N‑型外延层(2)表面形成有栅极结构，所述栅极结构位于一对元胞区P柱(203)之间，与一对元胞区P柱(203)上方的N+型体接触区(209)分别接触；所述终端区(II)中的N‑型外延层(2)中形成有至少一个终端区P柱(204)；终端区的N‑型外延层(2)表面形成有氧化绝缘层(210)；与终端区相邻的P型体区(206)向终端区延伸出P‑型体区(205)，P‑型体区(205)一直延伸到终端区II的末端。