[实用新型]集成电路和集成电路系统

摘要

公开了集成电路和系统。该集成电路在衬底的顶部上包括互连部分，该互连部分包括由绝缘区域(RIS)分隔开的多个金属化层级。该集成电路在该互连部分内另外包括至少一个反熔丝结构(STR)，该反熔丝结构涂覆在该绝缘区域(RIS)的一部分中，该反熔丝结构包括横梁(PTR)，该横梁由两个臂(BR1A，BR1B)固持在两个不同点处；本体(BTA)；以及反熔丝绝缘区域(ZSF)，该横梁(PTR)、该本体(BTA)以及这些臂(BR1A，BR1B)是金属并且位于同一金属化层级内，该本体和该横梁通过该反熔丝绝缘区域(ZSF)相互接触，该反熔丝绝缘区域被配置成用于在该本体与该横梁之间存在击穿电位差的情况下经受击穿。

主权项

一种集成电路，其特征在于，所述集成电路在衬底的顶部上包括互连部分，所述互连部分包括由绝缘区域分隔开的多个金属化层级，所述集成电路在所述互连部分内另外包括至少一个反熔丝结构，所述反熔丝结构涂覆有所述绝缘区域的一部分，所述反熔丝结构包括：横梁，所述横梁由两个臂固持在两个不同点处；本体；以及反熔丝绝缘区域，所述横梁、所述本体以及所述臂是金属并且位于同一金属化层级内，所述本体和所述横梁经由所述反熔丝绝缘区域相互接触，所述反熔丝绝缘区域被配置成用于在所述本体与所述横梁之间存在击穿电位差的情况下经受击穿。