[实用新型]低功率超结金属栅场效应晶体管有效
| 申请号： | 201720465949.8 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN206878004U | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 李菲;刘铁川;李欣 | 申请（专利权）人： | 上海超致半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/105;H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙)31297 | 代理人： | 赵朋晓 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低功率超结金属栅场效应晶体管，包括N+衬底层和至少二个设于N+衬底层顶面上的N‑耐压漂移层；所述N‑耐压漂移层的底部两侧设有P‑电荷补偿区，所述N‑耐压漂移层的顶部设有包裹N‑耐压漂移层的肖特基二极管，所述N‑耐压漂移层的顶面设有栅极沟槽、源极P+体区和漏极P+体区，所述栅极沟槽延伸至N‑耐压漂移层内，所述源极P+体区和漏极P+体区分别设于栅极沟槽的两侧，所述源极P+体区的顶面上设有N+源区，所述漏极P+体区的顶面上设有N+漏区；所述栅极沟槽中设有高于栅极沟槽的栅电极；所述栅电极中至少有一个栅电极的顶端设于肖特基二极管内，所述栅电极中至少有一个栅电极的顶端外露于肖特基二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 金属 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种低功率超结金属栅场效应晶体管，其特征在于，包括N+衬底层和至少二个设于N+衬底层顶面上的N‑耐压漂移层；所述N‑耐压漂移层的底部两侧设有P‑电荷补偿区，所述N‑耐压漂移层的顶部设有包裹N‑耐压漂移层的肖特基二极管，所述N‑耐压漂移层的顶面设有栅极沟槽、源极P+体区和漏极P+体区，所述栅极沟槽延伸至N‑耐压漂移层内，所述源极P+体区和漏极P+体区分别设于栅极沟槽的两侧，所述源极P+体区的顶面上设有N+源区，所述漏极P+体区的顶面上设有N+漏区；所述肖特基二极管的底面与所述P‑电荷补偿区的顶面接触，所述肖特基二极管的底面低于栅极沟槽的底面；所述栅极沟槽中设有高于栅极沟槽的栅电极；所述栅极沟槽与栅电极之间设有栅氧化层；所述栅电极高出栅极沟槽的部分包裹有介电层；所述栅电极中至少有一个栅电极的顶端设于肖特基二极管内，所述栅电极中至少有一个栅电极的顶端外露于肖特基二极管。
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