[实用新型]一种易散热半导体场效应晶体管器件结构有效
| 申请号： | 201720466944.7 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN206877977U | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 任留涛 | 申请（专利权）人： | 上海超致半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙)31297 | 代理人： | 赵朋晓 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体领域，提供了一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，器件结构包括栅极、源极、漏极、基极，基极和源极电连接，栅极、源极、漏极分别与金属支脚电连接，金属支脚外层附有氧化铝绝缘层，器件结构周围设有氧化铝绝缘层，器件结构和部分金属支脚通过氧化铝绝缘层与外界散热器相连接。本实用新型将金属支脚及器件结构周围设有氧化铝绝缘层，再由氧化铝绝缘层与外界散热器相连接，由于氧化铝绝缘层可以很薄的厚度达到绝缘的效果，可以更好的将热量传递到外界散热器，从而解决了现有技术中不能快速散热的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 散热 半导体 场效应 晶体管 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，所述器件结构包括栅极、源极、漏极、基极，所述基极和所述源极电连接，其特征在于：所述栅极、所述源极、所述漏极分别与金属支脚电连接，所述金属支脚外层附有氧化铝绝缘层，所述器件结构周围设有氧化铝绝缘层，所述器件结构和部分所述金属支脚通过氧化铝绝缘层与外界散热器相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海超致半导体科技有限公司，未经上海超致半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201720466944.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
