[实用新型]场效应管有效
| 申请号： | 201720466945.1 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN206878005U | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 任留涛;李菲;禹久赢 | 申请（专利权）人： | 上海超致半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙)31297 | 代理人： | 赵朋晓 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种场效应管，包括P型衬底；所述P型衬底上表面设有N型外延层，所述N型外延层上部设有栅极沟槽，所述N型外延层表面有氧化层，所述栅极沟槽内设有多晶硅栅；所述沟槽两侧形成有P型阱和N型有源区，且所述N型有源区位于P型阱的上方，所述氧化层上部涂覆有防护层，所述防护层中设有连接至N型有源区的接触孔。本实用新型结构简单，易于制备。能够有效保护氧化层在加工过程中免于腐蚀，保证场效应管的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 | ||
【主权项】：
一种场效应管，其特征在于包括：P型衬底（1）；所述P型衬底（1）上表面设有N型外延层（2），所述N型外延层（2）上部设有栅极沟槽（21），所述N型外延层（2）表面有氧化层（22），所述栅极沟槽（21）内设有栅氧化层（24）和多晶硅栅（23）；所述沟槽（21）两侧形成有P型阱（3）和N型有源区（4），且所述N型有源区（4）位于P型阱（3）的上方，所述氧化层（22）上部涂覆有防护层（5），所述防护层（5）中设有连接至N型有源区（4）的接触孔（51）。
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