[实用新型]一种复合磁场传感器有效
| 申请号： | 201720467098.0 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN206710576U | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 赵晓锋;邓祁;艾春鹏;温殿忠 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | G01R33/06 | 分类号： | G01R33/06;G01R33/09;G01R33/00;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙)11426 | 代理人： | 刘冬梅,路永斌 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种复合磁场传感器，其中，所述复合磁场传感器包括磁敏三极管和复合在磁敏三极管上的遂穿磁敏电阻(TMR)；其中，所述磁敏三极管的集电区设置于发射区的上方，所述基区设置于发射区和集电区的一侧，且所述基区制作在硅腐蚀坑内，提高了基区载流子注入能力，进而提高磁敏三极管的磁敏特性。本实用新型所述复合磁场传感器将磁敏三极管与遂穿磁敏电阻进行有效结合，兼具磁敏三极管的较强磁场检测性能以及遂穿磁敏电阻的弱磁场检测性能，实现了对磁场的宽量程检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
一种复合磁场传感器，其特征在于，所述复合磁场传感器包括用于检测较强磁场的磁敏三极管和用于检测弱磁场的遂穿磁敏电阻(TMR)，其中，所述遂穿磁敏电阻(TMR)复合在所述磁敏三极管上，形成所述复合磁场传感器；其中，所述磁敏三极管包括第一硅片(1)和第二硅片(2)，所述第一硅片(1)的厚度为30μm，所述第二硅片(2)的厚度为400～425μm，其中，在第一硅片(1)上制作有发射区、集电区和基区，所述基区为硅腐蚀坑，其深度为20～30μm；所述遂穿磁敏电阻(TMR)为三层膜结构；所述较强磁场指1～10000GS的磁场，所述弱磁场指0.001～1GS的磁场。
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