[实用新型]加热块装置有效
申请号: | 201720468361.8 | 申请日: | 2017-04-30 |
公开(公告)号: | CN206931564U | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 王海荣;周春健 | 申请(专利权)人: | 南通优睿半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京挺立专利事务所(普通合伙)11265 | 代理人: | 倪钜芳 |
地址: | 226299 江苏省南通市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种加热块装置,其包括加热块本体(1),其设置有定位孔(2),所述加热块本体布置有N行两列加热块凹槽(3),每行相邻的两加热块凹槽之间具有框架支撑间隙(4),各加热块凹槽远框架支撑间隙端设置有空隙(5),各加热块凹槽设置有中心孔(6)。本实用新型提供的加热块装置能够让半导体框架的基岛在塑封之后仍能够暴露在外面,整个装置结构在提高工作性能的同时,装置的成本较低。 | ||
搜索关键词: | 加热 装置 | ||
【主权项】:
一种加热块装置,其特征在于,其包括:加热块本体(1),其设置有定位孔(2),所述加热块本体布置有N行两列加热块凹槽(3),每行相邻的两加热块凹槽之间具有框架支撑间隙(4),各加热块凹槽远框架支撑间隙端设置有空隙(5),各加热块凹槽设置有中心孔(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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