[实用新型]一种PIN结构紫外光电探测器有效
| 申请号： | 201720479083.6 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN207021269U | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 王书昶;刘玉申;李中国;冯金福 | 申请（专利权）人： | 常熟理工学院 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/105;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 张俊范 |
| 地址： | 215500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种PIN结构紫外光电探测器，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Alx1Ga1‑x1N缓冲层、n型Alx2Ga1‑x2N层、非掺杂i型ZnO/TiO2超晶格吸收层、p型Alx3Ga1‑x3N层、p型GaN层，在n型Alx2Ga1‑x2N层上引出的n型欧姆电极，在p型GaN层上引出的p型欧姆电极，所述非掺杂i型ZnO/TiO2超晶格吸收层中，超晶格的重复周期数为1～10个。本实用新型还公开了PIN结构紫外光电探测器的制备方法。该PIN结构紫外光电探测器可提高探测器对弱紫外信号的响应度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pin 结构 紫外 光电 探测器 | ||
【主权项】：
一种PIN结构紫外光电探测器，其特征在于，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Alx1Ga1‑x1N缓冲层、n型Alx2Ga1‑x2N层、非掺杂i型ZnO/TiO2超晶格吸收层、p型Alx3Ga1‑x3N层、p型GaN层，在n型Alx2Ga1‑x2N层上引出的n型欧姆电极，在p型GaN层上引出的p型欧姆电极，所述非掺杂i型ZnO/TiO2超晶格吸收层中，超晶格的重复周期数为1～10个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
