[实用新型]一种具有功率增强功能的瞬态抑制二极管封装结构有效

专利信息
申请号: 201720488295.0 申请日: 2017-05-04
公开(公告)号: CN206711899U 公开(公告)日: 2017-12-05
发明(设计)人: 郭小红 申请(专利权)人: 萨锐微电子(上海)有限公司
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;H01L23/04
代理公司: 上海宣宜专利代理事务所(普通合伙)31288 代理人: 刘君
地址: 200233 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种具有功率增强功能的瞬态抑制二极管封装结构,包括壳体和引线,所述壳体的一侧卡接有第一引脚,所述壳体的另一侧卡接有第二引脚,所述壳体的中部卡接有芯片,所述壳体与芯片的夹缝处嵌接有凸台。该种实用新型设计合理,使用方便,通过把壳体的凸台改为正方形,使凸台与芯片的接触面积增大,并使浪涌能力达到600W的功率,非常适合瞬态抑制二极管的功率增强,可以有效提高对电子元器件保护的效率,简单方便,适合广泛推广。
搜索关键词: 一种 具有 功率 增强 功能 瞬态 抑制 二极管 封装 结构
【主权项】:
一种具有功率增强功能的瞬态抑制二极管封装结构,包括壳体(2)和引线(6),其特征在于:所述壳体(2)的一侧卡接有第一引脚(1),所述壳体(2)的另一侧卡接有第二引脚(5),所述壳体(2)的中部卡接有芯片(4),所述壳体(2)与芯片(4)的夹缝处嵌接有凸台(3)。
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