[实用新型]一种具有功率增强功能的瞬态抑制二极管封装结构有效
申请号: | 201720488295.0 | 申请日: | 2017-05-04 |
公开(公告)号: | CN206711899U | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 郭小红 | 申请(专利权)人: | 萨锐微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L23/04 |
代理公司: | 上海宣宜专利代理事务所(普通合伙)31288 | 代理人: | 刘君 |
地址: | 200233 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种具有功率增强功能的瞬态抑制二极管封装结构,包括壳体和引线,所述壳体的一侧卡接有第一引脚,所述壳体的另一侧卡接有第二引脚,所述壳体的中部卡接有芯片,所述壳体与芯片的夹缝处嵌接有凸台。该种实用新型设计合理,使用方便,通过把壳体的凸台改为正方形,使凸台与芯片的接触面积增大,并使浪涌能力达到600W的功率,非常适合瞬态抑制二极管的功率增强,可以有效提高对电子元器件保护的效率,简单方便,适合广泛推广。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 功率 增强 功能 瞬态 抑制 二极管 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种具有功率增强功能的瞬态抑制二极管封装结构,包括壳体(2)和引线(6),其特征在于:所述壳体(2)的一侧卡接有第一引脚(1),所述壳体(2)的另一侧卡接有第二引脚(5),所述壳体(2)的中部卡接有芯片(4),所述壳体(2)与芯片(4)的夹缝处嵌接有凸台(3)。
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