[实用新型]沟槽肖特基二极管有效
| 申请号： | 201720505633.7 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN206878007U | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 余强;焦伟;桑雨果;姚鑫;张小辛 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/328 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种沟槽肖特基二极管，包括于硅基底中形成多个具有第一宽度的第一沟槽以及至少一个位于终端的具有第二宽度的第二沟槽，所述第二宽度大于所述第一宽度；于第一沟槽第二沟槽及硅基底的表面形成介质层；沉积多晶硅，对多晶硅进行平坦化；去除硅基底上表面的介质层，所述第二沟槽中保留多晶硅及介质层；于硅基底上表面形成肖特基结；制作上金属电极。本实用新型通过在器件终端设置一个较宽的终端沟槽，并直接利用栅氧化层作为终端层间介质层，从而可以省掉传统工艺中需要单独生长终端层间介质层的工序；本实用新型肖特基势垒层所需表面使用湿法全刻蚀获得，可以省掉传统制作所需要的光罩层以及刻蚀工序，可以显著节约制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种沟槽肖特基二极管，其特征在于，包括：硅基底，所述硅基底中形成有多个具有第一宽度的第一沟槽以及至少一个位于终端的具有第二宽度的第二沟槽，所述第二宽度大于所述第一宽度；介质层，形成于所述第一沟槽第二沟槽表面；多晶硅层，填充于所述第一沟槽中以及形成于所述第二沟槽的介质层表面；肖特基结，形成于所述第一沟槽之间的硅基底的表面；以及上金属电极。
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