[实用新型]结型场效应管有效

专利信息
申请号: 201720505932.0 申请日: 2017-05-09
公开(公告)号: CN207474467U 公开(公告)日: 2018-06-08
发明(设计)人: 任留涛;李菲;禹久赢 申请(专利权)人: 超致(上海)半导体有限公司
主分类号: H01L29/10 分类号: H01L29/10;H01L29/08;H01L29/78
代理公司: 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 代理人: 孙益青
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种结型场效应管,包括:P型衬底;P型衬底上表面设有作为沟道的第一N型轻掺杂区;第一N型轻掺杂区两端分别设有作为漏极的第一N型重掺杂区和作为源极的第二N型重掺杂区;第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区之间设有氧化层,氧化层位于第一N型轻掺杂区的上表面;氧化层的上表面设有作为正栅的第一P型重掺杂区,第一N型轻掺杂区的下表面设有作为背栅的第二P型重掺杂区,背栅与正栅位置对应;还包括覆盖于正栅、漏极、源极和氧化层正上方的二氧化硅绝缘层;正栅、漏极和源极通过引脚导出二氧化硅绝缘层。本实用新型结构简单,易于制备。在维持较小的夹断电压的同时提高电流导通能力,提高工作电压范围。
搜索关键词: 氧化层 漏极 源极 二氧化硅绝缘层 结型场效应管 本实用新型 上表面 背栅 衬底上表面 电流导通 工作电压 夹断电压 下表面 衬底 导出 沟道 引脚 制备 覆盖
【主权项】:
一种结型场效应管,其特征在于包括:P型衬底(1);所述P型衬底(1)上表面设有作为沟道的第一N型轻掺杂区(2);所述第一N型轻掺杂区(2)两端分别设有作为漏极的第一N型重掺杂区(3)和作为源极的第二N型重掺杂区(4);所述第一N型重掺杂区(3)和第二N型重掺杂区(4)之间设有氧化层(5),所述氧化层(5)位于第一N型轻掺杂区(2)的上表面;所述氧化层(5)的上表面设有作为正栅的第一P型重掺杂区(6),所述第一N型轻掺杂区(2)的下表面设有作为背栅的第二P型重掺杂区(7),所述背栅与正栅位置对应;还包括二氧化硅绝缘层(8),所述二氧化硅绝缘层(8)覆盖于所述正栅、漏极、源极和氧化层(5)的正上方;所述正栅、漏极和源极通过引脚导出二氧化硅绝缘层(8)。
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