[实用新型]一种改善扩散均匀性的炉管有效
| 申请号： | 201720506073.7 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN207199571U | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 蒋建宝 | 申请（专利权）人： | 无锡赛晶太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L31/18 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种改善扩散均匀性的炉管，包括石英炉管，所述的炉管内设有镂空螺旋结构体，所述的镂空螺旋结构体的高度与炉管的内壁直径相等。本实用新型利用空气动力学原理，通过增加螺旋结构使五氧化二磷颗粒增加横向移动，从而深入硅片之间的缝隙中，改善方阻片内均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 扩散 均匀 炉管 | ||
【主权项】：
一种改善扩散均匀性的炉管，包括石英炉管，其特征在于：所述的石英炉管内设有镂空螺旋结构体，所述的镂空螺旋结构体的高度与炉管的内壁直径相等。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
