[实用新型]半导体测试结构

摘要

本实用新型提供一种半导体测试结构，包括衬底，具有若干个均匀分布的有源区；若干个第一多晶硅结构，平行分布并设置于有源区上，第一多晶硅结构首尾连接构成一串联结构；源区及漏区，位于有源区内，且分别位于第一多晶硅结构相对的两侧；若干个第一连接通孔，设置于源区及漏区上；第一金属层，包括若干个第一金属块以及与所述第一金属块相连接的若干个第一金属条；第一金属块位于第一连接通孔上；第一金属条平行于第一多晶硅结构，且位于有源区之间并连通位于有源区同侧的第一金属块；测试焊垫组件，包括至少一个第一、第二、第三测试焊垫，其中，第一测试焊垫与串联结构相连接，第二、第三测试焊垫分别与源区、漏区相连的第一金属条相连接。

主权项

一种半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构包括：衬底，所述衬底上具有若干个均匀分布的有源区；若干个第一多晶硅结构，所述第一多晶硅结构平行分布并设置于所述有源区上，且与所述有源区一一对应，所述第一多晶硅结构首尾连接构成一串联结构；源区及漏区，位于所述有源区内，且分别位于所述第一多晶硅结构相对的两侧；其中，沿垂直于所述第一多晶硅结构的方向上的相邻有源区内的源区与漏区反向设置，以使沿垂直于所述第一多晶硅结构的方向上下一个有源区内的源区与上一个的有源区内的源区相邻或者使下一个有源区内的漏区与上一个有源区内的漏区相邻；沿平行于所述第一多晶硅结构的方向上的所述有源区内的源区和漏区同向设置；若干个第一连接通孔，设置于所述源区及所述漏区上；第一金属层，包括若干个第一金属块以及与所述第一金属块相连接的若干个第一金属条；所述第一金属块位于所述第一连接通孔上，经由所述第一连接通孔与所述源区及漏区相连接；所述第一金属条平行于所述第一多晶硅结构，且位于所述有源区之间并连通位于所述有源区同侧的所述第一金属块，所述第一金属条通过层间介质层与所述衬底隔离；测试焊垫组件，包括至少一个第一测试焊垫、至少一个第二测试焊垫以及至少一个第三测试焊垫，其中，所述第一测试焊垫与所述串联结构相连接，所述第二测试焊垫与所述源区相连接的所述第一金属条相连接，所述第三测试焊垫与所述漏区相连接的所述第一金属条相连接。