[实用新型]一种NOR型阻变存储器有效
| 申请号： | 201720519419.7 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN207021297U | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 许毅胜;熊涛;刘钊;舒清明 | 申请（专利权）人： | 上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例提供了一种NOR型阻变存储器，包括自下而上多个层叠设置的第一电极，第一电极之间设置有层间介质层，层间介质层延伸至第一电极的外侧，并包裹多个第一电极；贯穿多个层叠设置的第一电极，以及层间介质层的至少一个第一通孔；第一通孔的孔壁上设置有阻变材料；设置在第一通孔内，且由阻变材料包裹的第二电极，第二电极与对应的字线电连接；本实用新型实施例提供了一种NOR型阻变存储器，通过设置下电极包裹阻变材料，阻变材料与上电极包裹的结构，来实现数据的存储，可以制造出集成度更高的存储器，且制备工艺简单，成本降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nor 型阻变 存储器 | ||
【主权项】：
一种NOR型阻变存储器，其特征在于，包括：自下而上多个层叠设置的第一电极，所述第一电极之间设置有层间介质层，所述层间介质层延伸至所述第一电极的外侧，并包裹多个所述第一电极；贯穿所述多个层叠设置的所述第一电极，以及所述层间介质层的至少一个第一通孔，所述第一通孔的孔壁上设置有阻变材料；设置在所述第一通孔内，且由所述阻变材料包裹的第二电极，所述第二电极与对应的字线电连接；与所述第一电极一一对应，且设置在所述层间介质层内的第二通孔，所述第二通孔内形成有位线，所述位线与对应的第一电极电连接。
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