[实用新型]混压高频微波基板有效
| 申请号： | 201720520367.5 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN207118072U | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 张志强;杨志刚;吴香兰;宋红林 | 申请（专利权）人： | 武汉光谷创元电子有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/03 | 分类号： | H05K1/03;H05K1/05;B32B27/34;B32B27/32;B32B27/28;B32B9/00;B32B9/04;B32B27/38;B32B27/06;B32B27/08;B32B15/20;B32B15/18;B32B15/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 肖日松,刘林华 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种混压高频微波基板，包括基底基材；高频基材，其混压至该基底基材上以形成混压基材；离子注入层，其通过离子注入方法注入该混压基材的表面下方，其中，该离子注入层的注入材料与该混压基材形成稳定的掺杂结构，该掺杂结构在该混压基材的表面下方形成多个基桩；以及导体加厚层，其形成在该离子注入层的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 微波 | ||
【主权项】：
一种混压高频微波基板，包括：基底基材；高频基材，其混压至所述基底基材上以形成混压基材；离子注入层，其通过离子注入方法注入所述混压基材的表面下方，其中，所述离子注入层的注入材料与所述混压基材形成稳定的掺杂结构，所述掺杂结构在所述混压基材的表面下方形成多个基桩；以及导体加厚层，其形成在所述离子注入层的上方。
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