[实用新型]一种基于VOx选通管的相变存储单元有效
| 申请号： | 201720524878.4 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN206834207U | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 缪向水;童浩;马立樊 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人： | 廖盈春,李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于VOx选通管的相变存储单元，包括下电极层、VOx选通层、相变功能层和上电极层。本实用新型采用了VOx来实现相变功能层的选通，可以在相变功能层选通的基础上实现数据的存储。通过给VOx施加电压来控制其状态切换，可以达到在低电压时相变存储单元为未选通状态、在高电压时为选通状态的目的。本实用新型通过VOx的开关控制可以有效的减小相变存储器阵列的漏电流，提供足够高的Reset电流；本实用新型不需要高温工艺条件，简化了相变存储器的制备工艺，节约成本，为高集成度的相变存储器商用化提供了可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 vox 选通管 相变 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种基于VOx选通管的相变存储单元，其特征在于，包括：依次设置的下电极层、VOx选通层、相变功能层和上电极层；当在所述上电极层和所述下电极层之间施加电压时，所述VOx选通层能实现高阻态和低阻态之间的转换。
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