[实用新型]扇出型晶圆级封装结构

摘要

本实用新型提供一种扇出型晶圆级封装结构，所述扇出型晶圆级封装结构至少包括重新布线层；第一倒装芯片，键合于所述重新布线层的上表面；金属膏导电柱，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；第二倒装芯片，键合于所述金属膏导电柱的上表面；塑封层，位于所述重新布线层的上表面；焊球凸块，位于所述重新布线层的下表面。本实用新型的扇出型晶圆级封装结构中，使用金属膏导电柱替代现有技术中的金属导电柱，金属膏导电柱可以使用金属膏印刷工艺制备而得到，相较于现有技术中的电镀工艺制备金属导电柱具有成本低、制备工艺简单等优点。

主权项

一种扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述扇出型晶圆级封装结构至少包括：重新布线层；第一倒装芯片，键合于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；金属膏导电柱，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；第二倒装芯片，键合于所述金属膏导电柱的上表面，且位于所述第一倒装芯片的上方，所述第二倒装芯片经由所述金属膏导电柱与所述重新布线层电连接；塑封层，位于所述重新布线层的上表面，且填满所述第一倒装芯片、所述金属膏导电柱、所述第二倒装芯片及所述重新布线层之间的间隙，并将所述第一倒装芯片、所述金属膏导电柱及所述第二倒装芯片封裹塑封；焊球凸块，位于所述重新布线层的下表面，且与所述重新布线层电连接。