[实用新型]扇出型晶圆级封装结构有效
申请号: | 201720532367.7 | 申请日: | 2017-05-15 |
公开(公告)号: | CN206819989U | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 吴政达;林正忠 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60;H01L25/18 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供一种扇出型晶圆级封装结构,所述扇出型晶圆级封装结构包括重新布线层;第一倒装芯片,键合于所述重新布线层的上表面;金属连接柱,键合于所述重新布线层的上表面;第二倒装芯片,键合于所述金属连接柱的上表面;塑封层,位于所述重新布线层的上表面;钝化层,位于所述重新布线层的下表面;所述钝化层内形成有若干个开口;焊球凸块,位于所述开口内,且与所述重新布线层电连接。本实用新型的扇出型晶圆级封装结构中,通过在重新再布线层的下表面形成钝化层,所述钝化层可以有效防止在植球回流过程中处于球滴状态的焊球凸块发生移动而出现位置的偏移,从而确保扇出型晶圆级封装结构的器件性能,以提高产量。 | ||
搜索关键词: | 扇出型晶圆级 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种扇出型晶圆级封装结构,其特征在于,所述扇出型晶圆级封装结构至少包括:重新布线层;第一倒装芯片,键合于所述重新布线层的上表面,且与所述重新布线层电连接;金属连接柱,键合于所述重新布线层的上表面,且与所述重新布线层电连接;第二倒装芯片,键合于所述金属连接柱的上表面,且位于所述第一倒装芯片的上方,所述第二倒装芯片经由所述金属连接柱与所述重新布线层电连接;塑封层,位于所述重新布线层的上表面,且填满所述第一倒装芯片、所述金属连接柱、所述第二倒装芯片及所述重新布线层之间的间隙,并将所述第一倒装芯片、所述金属连接柱及所述第二倒装芯片封裹塑封;钝化层,位于所述重新布线层的下表面;所述钝化层内形成有若干个开口,所述开口暴露出部分所述重新布线层的下表面;焊球凸块,位于所述开口内,且与所述重新布线层电连接。
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