[实用新型]一种用于强激光系统中具有亚波长光栅减反结构的光束采样光栅有效

专利信息
申请号: 201720561886.6 申请日: 2017-05-19
公开(公告)号: CN207424284U 公开(公告)日: 2018-05-29
发明(设计)人: 陈火耀;刘颖;梁举曦;王宇;刘正坤;邱克强;徐向东;洪义麟;付绍军 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: G02B5/18 分类号: G02B5/18;G02B1/118
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 杨学明;顾炜
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型涉及一种用于强激光系统中具有亚波长光栅减反结构的光束采样光栅,是在熔石英基底同一表面制作光束采样光栅和亚波长光栅减反结构,在实现光束采样功能的基础上增加透过率。采样光栅和亚波长光栅的条纹方向可以平行、垂直或成角度。亚波长光栅的线密度在4500线/mm以上,刻蚀深度70~80nm,占宽比0.3~0.5。本实用新型对于351nm的TE偏振入射光,其透过率>95%。
搜索关键词: 亚波长光栅 采样光栅 反结构 本实用新型 强激光系统 透过率 采样功能 条纹方向 同一表面 熔石英 入射光 基底 刻蚀 平行 垂直 制作
【主权项】:
1.一种用于强激光系统中具有亚波长光栅减反结构的光束采样光栅,其特征在于:包括熔石英基底、光束采样光栅、亚波长光栅减反结构;在熔石英基底同一表面上制作光束采样光栅和亚波长光栅减反结构,实现光束采样功能的基础上增加透过率;所述光束采样光栅和亚波长光栅减反结构的条纹方向是平行、垂直或成角度;所述光束采样光栅及亚波长光栅减反结构均采用全息光刻-离子束刻蚀的方法制作;所述亚波长光栅减反结构的线密度在4500线/mm以上,刻蚀深度70~80nm,占宽比0.3~0.5。
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