[实用新型]集成电路和物体有效
| 申请号： | 201720572060.X | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN206877986U | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | C·里韦罗;P·弗纳拉;G·鲍顿;M·利萨特 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,董典红 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及集成电路和物体。提供一种集成电路，该集成电路包括互连部分，该互连部分包括至少一个通孔层级，该至少一个通孔层级位于下金属化层级与上金属化层级之间，该下金属化层级被绝缘包封层并且被金属化层级间绝缘层覆盖；以及至少一个电中断，该至少一个电中断位于该通孔层级的至少一个通孔与该下金属化层级的至少一个轨之间，该至少一个电中断包括附加绝缘层，该附加绝缘层具有与该金属化层级间绝缘层的构成完全相同的构成、位于该至少一个通孔与该至少一个轨之间并且被该包封层定界。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 物体 | ||
【主权项】：
一种集成电路，其特征在于，所述集成电路包括互连部分，所述互连部分包括：至少一个通孔层级，所述至少一个通孔层级位于下金属化层级与上金属化层级之间，所述下金属化层级被绝缘包封层并且被金属化层级间绝缘层覆盖；以及至少一个电中断，所述至少一个电中断位于所述通孔层级的至少一个通孔与所述下金属化层级的至少一个轨之间，所述至少一个电中断包括附加绝缘层，所述附加绝缘层具有与所述金属化层级间绝缘层的构成完全相同的构成、位于所述至少一个通孔与所述至少一个轨之间并且被所述包封层定界。
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