[实用新型]半导体器件结构有效
| 申请号： | 201720573157.2 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN207458950U | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | G·M·格里弗纳 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/78;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体器件，实施方案包括形成竖直地延伸到半导体材料中的有源区，所述半导体器件形成在所述半导体材料中。所述有源区可以包括P‑N结或另选地MOS晶体管的栅极或沟道区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 半导体器件 源区 半导体器件结构 本实用新型 沟道区 竖直 延伸 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；所述第一导电类型的半导体区，所述半导体区覆盖在所述半导体衬底上面，所述半导体区具有主表面；第一开口，所述第一开口形成为从所述半导体区的所述主表面向所述半导体区中延伸第一距离；所述第一开口内的第一材料；半导体结，所述半导体结沿着所述第一开口的侧壁，所述半导体结形成在所述第一材料与所述半导体区之间；所述半导体区中的第二开口，所述第二开口从所述主表面向所述半导体区中延伸基本上所述第一距离；以及所述第二开口内的第一半导体材料，所述第一半导体材料具有所述第一导电类型和大于所述半导体区的掺杂浓度的掺杂浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司，未经半导体元件工业有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201720573157.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜晶体管、阵列基板和显示装置
- 下一篇：肖特基二极管
- 同类专利
- 专利分类
