[实用新型]图像传感器芯片有效

专利信息
申请号: 201720574290.X 申请日: 2017-05-22
公开(公告)号: CN207558794U 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: L·盖伊;F·居亚代 申请(专利权)人: 意法半导体(克洛尔2)公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型涉及一种图像传感器芯片,该图像传感器芯片包括:半导体层(3),该半导体层用于接收在其背面(F2)一侧上的照明,并且包括像素矩阵(1);互连结构(7),该互连结构被安排在该半导体层(3)的前面(F1)上;载体(21),该载体被安排在该互连结构(7)上,该载体的第一面(F3)在前面(F1)一侧上;以及环形沟槽(49),该环形沟槽被安排在该芯片(5)周边,该沟槽从该载体(21)的第二面(F4)延伸穿过该载体的整个厚度。
搜索关键词: 图像传感器芯片 半导体层 互连结构 环形沟槽 本实用新型 像素矩阵 延伸穿过 第二面 背面 芯片
【主权项】:
1.一种图像传感器芯片(5),其特征在于,包括:半导体层(3),所述半导体层用于接收其背面(F2)一侧上的照明,并且包括像素矩阵(1);互连结构(7),所述互连结构被安排在所述半导体层(3)的前面(F1)上,并且将所述像素矩阵(1)的元件(9)相互电连接;载体(21),所述载体被安排在所述互连结构(7)上,所述载体的第一面(F3)在前面(F1)一侧上;以及环形沟槽(49),所述环形沟槽被安排在所述芯片(5)的周边上,所述沟槽从所述载体(21)的第二面(F4)延伸并穿过所述载体的整个厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(克洛尔2)公司,未经意法半导体(克洛尔2)公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720574290.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top