[实用新型]图像传感器芯片有效
申请号: | 201720574290.X | 申请日: | 2017-05-22 |
公开(公告)号: | CN207558794U | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | L·盖伊;F·居亚代 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(克洛尔2)公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种图像传感器芯片,该图像传感器芯片包括:半导体层(3),该半导体层用于接收在其背面(F2)一侧上的照明,并且包括像素矩阵(1);互连结构(7),该互连结构被安排在该半导体层(3)的前面(F1)上;载体(21),该载体被安排在该互连结构(7)上,该载体的第一面(F3)在前面(F1)一侧上;以及环形沟槽(49),该环形沟槽被安排在该芯片(5)周边,该沟槽从该载体(21)的第二面(F4)延伸穿过该载体的整个厚度。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器芯片 半导体层 互连结构 环形沟槽 本实用新型 像素矩阵 延伸穿过 第二面 背面 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器芯片(5),其特征在于,包括:半导体层(3),所述半导体层用于接收其背面(F2)一侧上的照明,并且包括像素矩阵(1);互连结构(7),所述互连结构被安排在所述半导体层(3)的前面(F1)上,并且将所述像素矩阵(1)的元件(9)相互电连接;载体(21),所述载体被安排在所述互连结构(7)上,所述载体的第一面(F3)在前面(F1)一侧上;以及环形沟槽(49),所述环形沟槽被安排在所述芯片(5)的周边上,所述沟槽从所述载体(21)的第二面(F4)延伸并穿过所述载体的整个厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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