[实用新型]像素阵列有效
申请号: | 201720580043.0 | 申请日: | 2017-05-24 |
公开(公告)号: | CN206758436U | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | M·米利纳尔;T·格蒂斯 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及像素阵列。所述像素阵列包括多个图像像素,其中像素阵列中的图像像素包括内部子像素组,内部子像素组包括至少一个子像素并且表现出第一光敏度;和外部子像素组,外部子像素组包括至少一个子像素并且表现出大于第一光敏度的第二光敏度,其中内部子像素组嵌套在外部子像素组内,并且其中内部子像素组和外部子像素组中的至少一者包括第一子像素和第二子像素,第一子像素和第二子像素中的每个具有对入射光的不对称角度响应并且被配置为产生相位检测数据。本实用新型解决的一个技术问题是提供具有高动态范围功能和深度感测能力的改进的成像系统。本实用新型实现的一个技术效果是提供改进的像素阵列。 | ||
搜索关键词: | 像素 阵列 | ||
【主权项】:
一种像素阵列,所述像素阵列包括多个图像像素,其中所述像素阵列中的图像像素包括:内部子像素组,所述内部子像素组包括至少一个子像素并且表现出第一光敏度;和外部子像素组,所述外部子像素组包括至少一个子像素并且表现出大于所述第一光敏度的第二光敏度,其中所述内部子像素组嵌套在所述外部子像素组内,并且其中所述内部子像素组和所述外部子像素组中的至少一者包括第一子像素和第二子像素,所述第一子像素和所述第二子像素中的每个具有对入射光的不对称角度响应并且被配置为产生相位检测数据。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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