[实用新型]电子器件

摘要

本实用新型公开的是一种包括集成电路衬底的电子器件，在所述集成电路衬底内具有像素阵列区域。第一深沟槽隔离结构在所述集成电路衬底中围绕着所述像素阵列区域的周边形成。第一、第二、第三和第四像素位于所述像素阵列区域内且彼此间隔开。存储电容器区域位于所述集成电路衬底内并且在所述第一深沟槽隔离结构内部。第二深沟槽隔离结构在所述集成电路衬底中围绕着所述存储电容器区域的周边形成。所述第二深沟槽隔离结构可以用于将所述存储电容器区域与所述第一、第二、第三和第四像素电隔离。

主权项

1.一种电子器件，其特征在于，包括：集成电路衬底；像素阵列区域，所述像素阵列区域位于所述集成电路衬底上；边界隔离区，所述边界隔离区在所述集成电路衬底中围绕着所述像素阵列区域的周边形成；第一像素，所述第一像素位于所述像素阵列区域内；第二像素，所述第二像素位于所述像素阵列区域内与所述第一像素间隔开；存储电容器区域，所述存储电容器区域位于所述第一像素与所述第二像素之间并且由所述第一像素和所述第二像素共用；第一电容器区域隔离区，所述第一电容器区域隔离区在所述集成电路衬底中形成在所述存储电容器区域与所述第一像素之间，并且在所述边界隔离区的第一部分与第二部分之间延伸；第二电容器区域隔离区，所述第二电容器区域隔离区在所述集成电路衬底中形成在所述存储电容器区域与所述第二像素之间，并且在所述边界隔离区的所述第一部分与所述第二部分之间延伸；位于所述存储电容器区域内并且电耦合到所述第一像素的至少一个存储电容器；以及位于所述存储电容器区域内并且电耦合到所述第二像素的至少一个存储电容器。