[实用新型]基于纳米沟道的凹槽栅增强型GaN晶体管器件有效
| 申请号： | 201720593804.6 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN206947353U | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 周幸叶;冯志红;吕元杰;谭鑫;王元刚;宋旭波;徐鹏 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 夏素霞 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于纳米沟道的凹槽栅增强型GaN晶体管器件，涉及微电子器件技术领域，自下而上包括衬底层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、栅介质层、钝化层、源电极、漏电极和栅电极；将AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件栅电极下方的异质结刻蚀形成纳米沟道，则纳米沟道两侧区域不存在二维电子气，栅电极包裹在纳米沟道的上方及两侧壁，由于栅电极从三个方向对沟道内的电子进行调制，栅控能力强，能够很好地抑制短沟效应。当纳米沟道的宽度很小时，沟道内的二维电子气被耗尽，器件实现增强型。采用凹槽栅结构，纳米沟道和凹槽栅共同作用，可以保证器件在实现增强型的同时具有较大的纳米沟道宽度，减小导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 沟道 凹槽 增强 gan 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
一种基于纳米沟道的凹槽栅增强型GaN晶体管器件，自下而上包括衬底层(6)、GaN缓冲层(7)、AlGaN势垒层(8)、栅介质层(9)、钝化层(10)、源电极(1)、漏电极(2)和栅电极(3)；其特征在于：所述AlGaN势垒层(8)和所述GaN缓冲层(7)形成AlGaN/GaN异质结，所述AlGaN势垒层(8)上方有凹槽，栅电极(3)位于凹槽内并且包裹在AlGaN/GaN异质结的上方和两侧，形成三维环栅结构；所述栅电极(3)下的AlGaN/GaN异质结具有纳米图形，形成纳米沟道(5)；所述纳米沟道(5)两端具有沟道扩展区(4)；所述栅介质层(9)位于所述栅电极(3)之下，所述源电极(1)和所述漏电极(2)之间，覆盖在所述AlGaN/GaN异质结顶部并包裹所述纳米沟道(5)的两个侧壁。
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