[实用新型]一种工艺腔室及半导体处理设备

摘要

本实用新型提供了一种工艺腔室及半导体处理设备。本实用新型的工艺腔室用于对晶片进行去气和预清洗，包括腔体、电极板、设置于腔体内顶部的热源、设置于腔体内底部的基座；其中，基座和热源相对设置，电极板可旋转；电极板中设置有输气通道；当电极板旋转至基座的上方时，工艺气体经输气通道输送至基座的上方，对晶片进行预清洗工艺；当电极板旋转离开基座的上方时，接通热源对晶片进行去气工艺。本实用新型的半导体处理设备包括本实用新型的工艺腔室。本实用新型的工艺腔室，当进行预清洗时，通过电极板将工艺气体直接输送至基座的上方,工艺气体利用率高；且工艺气体到达晶片的路径长短一致，使得等离子体能量均匀，预清洗的效果好。

主权项

一种工艺腔室，所述工艺腔室用于对晶片进行去气和预清洗，所述腔室包括：腔体、电极板、设置于所述腔体内顶部的热源、设置于所述腔体内底部的基座；其中，所述基座和所述热源相对设置，所述电极板可旋转；其特征在于，所述电极板中设置有输气通道；当所述电极板旋转至所述基座的上方时，工艺气体经所述输气通道输送至所述基座的上方，对晶片进行预清洗工艺；当所述电极板旋转离开所述基座的上方时，接通所述热源对晶片进行去气工艺。