[实用新型]p型晶体硅双面电池

摘要

本实用新型提供一种p型晶体硅双面电池，包括衬底，衬底采用p型晶体硅片，p型晶体硅片的正面掺杂形成的n+型晶体硅层，n+型晶体硅层上局部设置n++型硅膜层，n+型晶体硅层与n++型硅膜层的共同正表面沉积正面钝化减反射层，正面金属电极层穿透正面钝化减反射层并与n++型硅膜层接触；p型晶体硅片的背面设置p++型硅膜层，p++型硅膜层表面沉积背面钝化减反射层；本实用新型中通过引入n++型硅膜层形成钝化接触层，避免了金属电极直接接触n+型掺杂层造成的接触区复合；其次，电池背面采用p++型硅膜层形成钝化接触层，采用金属栅线电极与p++型硅膜层接触，避免了背面接触区复合，同时光线从背面也能入射到硅片进行发电。

主权项

一种p型晶体硅双面电池，其特征在于：包括衬底、n+型晶体硅层、正面钝化减反射层、n++型硅膜层、正面金属电极层、p++型硅膜层、背面钝化减反射层和背面金属电极层，衬底采用p型晶体硅片，p型晶体硅片的正面掺杂形成的n+型晶体硅层，n+型晶体硅层上局部设置n++型硅膜层，即n++型硅膜层设于正面金属电极层下方，n+型晶体硅层与n++型硅膜层的共同正表面沉积正面钝化减反射层，正面金属电极层穿透正面钝化减反射层并与n++型硅膜层接触；p型晶体硅片的背面设置p++型硅膜层，p++型硅膜层表面沉积背面钝化减反射层，背面金属电极层穿透背面钝化减反射层并与p++型硅膜层接触。