[实用新型]一种IGBT全桥驱动电路

摘要

本实用新型公开了一种IGBT全桥驱动电路，包括驱动变压器、第一IGBT驱动电路、第二驱动电路、第三驱动电路和第四驱动电路，驱动变压器包括初级线圈、第一次级线圈、第二次级线圈、第三次级线圈和第四次级线圈，第一IGBT驱动电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R9、MOS管IC1、二极管D1、旁路电容C1和IGBT管Q1，第二IGBT驱动电路包括电阻R3、电阻R4、电阻R10、MOS管IC2、二极管D2、旁路电容C2和IGBT管Q2；第三IGBT驱动电路包括电阻R5、电阻R6、电阻R11、MOS管IC3、二极管D3、旁路电容C3和IGBT管Q3；第四IGBT驱动电路包括电阻R7、电阻R8、电阻R12、MOS管IC4、二极管D4、旁路电容C4和IGBT管Q4。本实用新型有效断绝因米勒效应导致IGBT产生误触发或IGBT关断不彻底的状态。

主权项

一种IGBT全桥驱动电路，其特征是，包括驱动变压器、第一IGBT驱动电路、第二驱动电路、第三驱动电路和第四驱动电路，所述驱动变压器包括初级线圈、第一次级线圈、第二次级线圈、第三次级线圈和第四次级线圈，所述初级线圈与驱动脉冲信号生成模块电连接；所述第一IGBT驱动电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R9、MOS管IC1、二极管D1、旁路电容C1和IGBT管Q1，所述电阻R1和电阻R2并联连接，所述电阻R2的一端与MOS管IC1的漏极连接，另一端与二极管D1的阴极连接，所述二极管D1的阳极分别与MOS管IC1的源极和第一次级线圈的一接线端连接，所述电阻R9的一端与MOS管IC1的栅极连接，另一端分别与旁路电容C1的一端和第一次级线圈的另一接线端连接，所述旁路电容C1的另一端与所述电阻R1的一端相连；所述IGBT管Q1的栅极与旁路电容C1的一端连接，所述IGBT管Q1的发射极与电阻R1的一端相连；所述第二IGBT驱动电路包括电阻R3、电阻R4、电阻R10、MOS管IC2、二极管D2、旁路电容C2和IGBT管Q2，所述电阻R3和电阻R4并联连接，所述电阻R4的一端与MOS管IC2的漏极连接，另一端与二极管D2的阴极连接，所述二极管D2的阳极分别与MOS管IC2的源极和第二次级线圈的一接线端连接，所述电阻R10的一端与MOS管IC2的栅极连接，另一端分别与旁路电容C2的一端和第二次级线圈的另一接线端连接，所述旁路电容C2的另一端与所述电阻R3的一端相连；所述IGBT管Q2的栅极与旁路电容C2的一端连接，所述IGBT管Q2的发射极与电阻R3的一端相连；所述第三IGBT驱动电路包括电阻R5、电阻R6、电阻R11、MOS管IC3、二极管D3、旁路电容C3和IGBT管Q3，所述电阻R5和电阻R6并联连接，所述电阻R6的一端与MOS管IC3的漏极连接，另一端与二极管D3的阴极连接，所述二极管D3的阳极分别与MOS管IC3的源极和第三次级线圈的一接线端连接，所述电阻R11的一端与MOS管IC3的栅极连接，另一端分别与旁路电容C3的一端和第三次级线圈的另一接线端连接，所述旁路电容C3的另一端与所述电阻R5的一端相连；所述IGBT管Q3的栅极与旁路电容C3的一端连接，所述IGBT管Q3的发射极与电阻R5的一端相连；所述第四IGBT驱动电路包括电阻R7、电阻R8、电阻R12、MOS管IC4、二极管D4、旁路电容C4和IGBT管Q4，所述电阻R1和电阻R2并联连接，所述电阻R8的一端与MOS管IC4的漏极连接，另一端与二极管D4的阴极连接，所述二极管D4的阳极分别与MOS管IC4的源极和第四次级线圈的一接线端连接，所述电阻R12的一端与MOS管IC4的栅极连接，另一端分别与旁路电容C4的一端和第四次级线圈的另一接线端连接，所述旁路电容C4的另一端与所述电阻R7的一端相连；所述IGBT管Q4的栅极与旁路电容C4的一端连接，所述IGBT管Q4的发射极与电阻R7的一端相连。