[实用新型]一种低耗银高效异质结太阳能电池片有效
申请号: | 201720606811.5 | 申请日: | 2017-05-27 |
公开(公告)号: | CN207367984U | 公开(公告)日: | 2018-05-15 |
发明(设计)人: | 陈伟文;罗骞;宋广华 | 申请(专利权)人: | 福建金石能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0747 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种低耗银高效异质结太阳能电池片,包括n‑型单晶硅片,依次沉积在n‑型单晶硅片上表面的第一本征非晶硅薄膜层、P型掺杂非晶硅薄膜层、第一透明导电薄膜层,依次沉积在n‑型单晶硅片下表面的第二本征非晶硅薄膜层、N型掺杂非晶硅薄膜层、第二透明导电薄膜层,n‑型单晶硅片其中一面的第一透明导电膜层或第二透明导电膜层上设有金属栅线正电极,n‑型单晶硅片另一面的第二透明导电薄膜层或第一透明导电膜层上设有金属背电极,金属背电极由化学沉积铜层和化学沉积锡层组成。本实用新型通过在背电极面透明导电膜上化学沉积铜层,再化学沉积锡层,提高导电性能,提高转换效率,取代背电极面透明导电膜上的银浆金属栅线,减少电池片成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 低耗 高效 异质结 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1.一种低耗银高效异质结太阳能电池片,包括n-型单晶硅片,依次沉积在n-型单晶硅片上表面的第一本征非晶硅薄膜层、P型掺杂非晶硅薄膜层、第一透明导电薄膜层,依次沉积在n-型单晶硅片下表面的第二本征非晶硅薄膜层、N型掺杂非晶硅薄膜层、第二透明导电薄膜层,其特征在于:所述n-型单晶硅片其中一面的第一透明导电膜层或第二透明导电膜层上设有金属栅线正电极,所述金属栅线正电极采用银浆金属栅线,所述n-型单晶硅片另一面的第二透明导电薄膜层或第一透明导电膜层上设有金属背电极,所述金属背电极由化学沉积铜层和化学沉积锡层组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的