[实用新型]应用于无线传感器网络的宽带低功耗低噪声放大器有效
申请号: | 201720608416.0 | 申请日: | 2017-05-27 |
公开(公告)号: | CN206712752U | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 吴晨健;安景慧 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;H03F3/16;H03F1/56;H03F1/42;H03F1/02 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)32257 | 代理人: | 杨慧林 |
地址: | 215000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种应用于无线传感器网络的宽带低功耗低噪声放大器,它包括依次相连接的输入匹配电路、第一级放大电路和第二级放大电路,第一级放大电路采用电阻反馈共源电路结构,第二级放大电路采用有源并联反馈共栅电路结构。 | ||
搜索关键词: | 应用于 无线 传感器 网络 宽带 功耗 低噪声放大器 | ||
【主权项】:
一种应用于无线传感器网络的宽带低功耗低噪声放大器,其特征在于:它包括依次相连接的输入匹配电路、第一级放大电路和第二级放大电路,所述的第一级放大电路采用电阻反馈共源电路结构,它包括PMOS管MP、NMOS管MN和反馈电阻Rf,所述PMOS管MP的源极连接偏置电压vb,所述PMOS管MP的漏极和所述NMOS管MN的漏极分别与所述反馈电阻Rf的一端相连接,所述PMOS管MP的栅极和所述NMOS管MN的栅极分别与反馈电阻Rf的另一端以及所述输入匹配电路相连接,所述NMOS管MN的源极接地;所述的第二级放大电路采用有源并联反馈共栅电路结构,它包括NMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M5、NMOS管M6、电阻RL1、电阻RL2以及电容C1,所述电阻RL1的一端连接电源VDD且另一端分别与所述NMOS管M1的漏极和所述PMOS管M5的栅极相连接,所述NMOS管M1的栅极连接偏置电压vgn,所述PMOS管M2的栅极连接偏置电压vgp,所述NMOS管M1的源极、所述PMOS管M2的源极与所述PMOS管M5的漏极、所述NMOS管M6的漏极相连接,并且所述NMOS管M1的源极、所述PMOS管M2的源极与所述PMOS管MP的漏极、所述NMOS管MN的漏极直接连接或通过一部件相连接,所述PMOS管M2的漏极、所述电阻RL2的一端与所述NMOS管M6的栅极相连接,所述RL2的另一端接地,所述PMOS管M5的源极连接所述电源VDD,所述NMOS管M6的源极接地,所述电容C1的两端分别连接所述NMOS管M1的漏极、所述PMOS管M2的漏极;所述NMOS管M1的漏极为所述应用于无线传感器网络的宽带低功耗低噪声放大器的输出端。
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