[实用新型]集成电路抗地弹干扰复位电路有效

专利信息
申请号: 201720617222.7 申请日: 2017-05-30
公开(公告)号: CN206863685U 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 罗凌;张伟涛 申请(专利权)人: 深圳市东宇科技有限公司
主分类号: G06F1/24 分类号: G06F1/24
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及电子电路技术领域,尤其涉及一种集成电路抗地弹干扰复位电路,包括控制电路、钳位电路、抑制干扰电路、复位电路。优点钳位电路限定复位电压,保证输出脉冲的电压值能够初始化控制电路;复位电路中的电阻作为匹配电阻,使与电路板、半导体集成电路的地平面形成的等效电阻相匹配,消除了电路板、控制电路的地弹效应;抑制干扰电路中的电容作为去耦电容,使与电路板上的电源、半导体集成电路所形成的等效噪声信号源相匹配,显著地消除了电路板、控制电路的地弹效应;抑制干扰电路中的电阻降低复位电路对电源电压的敏感性,肖特基二极管在强干扰造成逻辑错误的频繁开关电源时可以稳定复位信号电压,避免了控制电路因地弹效应而导致的反复复位。
搜索关键词: 集成电路 干扰 复位 电路
【主权项】:
集成电路抗地弹干扰复位电路,包括控制电路,其特征在于,还包括钳位电路、抑制干扰电路、复位电路;所述钳位电路与复位电路连接,控制复位电路的充电电压;所述抑制干扰电路与复位电路连接,对复位信号做抗地弹效应处理;所述复位电路与控制电路连接,提供抗地弹效应的复位信号,保证控制电路正常复位;所述钳位电路包括第一NMOS管(T1)、第二NMOS管(T2),所述第一NMOS管(T1)与第二NMOS管(T2)串联连接,具体是第一NMOS管(T1)的源极与第二NMOS管(T2)的栅极、漏极连接,串联的第一NMOS管(T1)、第二NMOS管(T2)与复位电路串联、抑制干扰电路并联连接。
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