[实用新型]一种智能Mosfet功率装置有效
| 申请号： | 201720621700.1 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN207368889U | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 侯鸿斌;李震;侯镜波 | 申请（专利权）人： | 广州市泰霖电源设备有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/00 | 分类号： | H02M7/00 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 蔡碧慧;邓星文 |
| 地址： | 510000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种智能Mosfet功率装置，包括基底、绝缘板、智能驱动及保护线路板和Mosfet芯片阵列，绝缘板设置在基底上，Mosfet芯片阵列设置在绝缘板上，智能驱动及保护线路板设置在基底上，且该智能驱动及保护线路板与Mosfet芯片阵列电连接。达到了减少热损耗，同时简化驱动电路且降低成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 智能 mosfet 功率 装置 | ||
【主权项】：
1.一种智能Mosfet功率装置，包括基底、绝缘板、智能驱动及保护线路板和Mosfet芯片阵列，其特征在于：所述绝缘板设置在基底上，所述Mosfet芯片阵列设置在绝缘板上，所述智能驱动及保护线路板设置在基底上，且该智能驱动及保护线路板与Mosfet芯片阵列电连接。
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