[实用新型]多晶硅用坩埚有效
| 申请号： | 201720622449.0 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN207047366U | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 翟蕊;翁林梁;李娟 | 申请（专利权）人： | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 314117 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种多晶硅用坩埚，内壁涂层包括复合于坩埚侧壁和底面的氮化硅涂层；复合于坩埚侧壁氮化硅涂层表面的颗粒层；复合于颗粒层表面的第二氮化硅涂层；所述第二氮化硅涂层具有若干孔眼，使颗粒层裸露。本实用新型通过在第二氮化硅涂层上设置孔眼，使得对应区域的颗粒层裸露在外，在生长多晶硅过程中，其可以作为硅的形核点，优先在该位置形核。由于形核点分布的均匀性和集中细密性，减少了晶核的无序竞争以及形成枝状晶的可能，降低晶体生长过程中的内应力，晶体缺陷少，质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 坩埚 | ||
【主权项】：
一种多晶硅用坩埚，其特征在于，内壁涂层包括：复合于坩埚侧壁和底面的氮化硅涂层；复合于坩埚侧壁氮化硅涂层表面的颗粒层；复合于颗粒层表面的第二氮化硅涂层；所述第二氮化硅涂层具有若干孔眼，使颗粒层裸露。
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