[实用新型]超高压VDMOS晶体管有效
| 申请号： | 201720627821.7 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN207009440U | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 谭在超;罗寅;丁国华;张海滨;薛金鑫 | 申请（专利权）人： | 苏州锴威特半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司32206 | 代理人： | 吕书桁 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种超高压VDMOS晶体管，包括第一导电类型的衬底片、位于衬底片背面的第一导电类型的掺杂层、位于掺杂层下方的第一金属电极、位于衬底片正面的栅极结构以及位于栅极结构上的第二金属电极，所述第一金属电极作为该VDMOS晶体管的漏极，所述第二金属电极作为该VDMOS晶体管的源极；所述栅极结构包括第二导电类型的阱区、位于阱区内的第二导电类型的接触区、位于接触区两侧的第一导电类型的源区。本VDMOS晶体管直接在衬底片的正面进行器件的制作，省略了在衬底片上生长外延，从而有效避免了高耐压条件下增厚的外延厚度对超高压VDMOS晶体管的良率和可靠性的影响，也有效降低了超高压VDMOS晶体管的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 超高压 vdmos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种超高压VDMOS晶体管，其特征在于：包括第一导电类型的衬底片、位于衬底片背面的第一导电类型的掺杂层、位于掺杂层下方的第一金属电极、位于衬底片正面的栅极结构以及位于栅极结构上的第二金属电极，所述第一金属电极作为该VDMOS晶体管的漏极，所述第二金属电极作为该VDMOS晶体管的源极；所述栅极结构包括第二导电类型的阱区、位于阱区内的第二导电类型的接触区、位于接触区两侧的第一导电类型的源区和位于阱区上方的多晶硅栅极。
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