[实用新型]一种X射线探测器芯片光敏面宽度结构有效
申请号: | 201720628067.9 | 申请日: | 2017-06-01 |
公开(公告)号: | CN207217556U | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 董自勇 | 申请(专利权)人: | 江苏尚飞光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 226017 江苏省南通*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型一种X射线探测器芯片光敏面宽度结构,包括探测器芯片光敏面和探测芯片,所述探测芯片的表面等间距排列有16个探测器芯片光敏面,“探测器芯片光敏面的宽度范围为0.5-1.5mm”的设计,使得当芯片光敏面宽度的设计范围在0.5mm-1.5mm之间时,探测器有较好的探测响应度,并且像素之间的串扰也比较小,减小了常规的探测器芯片光敏面的宽度在1.5mm-1.575mm范围时,由于像素之间的隔离距离太小,相邻像素之间串扰严重,成像清晰度大大下降的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 射线 探测器 芯片 光敏 宽度 结构 | ||
【主权项】:
一种X射线探测器芯片光敏面宽度结构,包括探测器芯片光敏面(1)和探测芯片(2),其特征在于:所述探测芯片(2)的表面等间距排列有16个探测器芯片光敏面(1),且每两处探测器芯片光敏面(1)中心距之间形成一个像素间距,且间距距离为1.575毫米;所述探测器芯片光敏面(1)的宽度范围为0.5-1.5毫米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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