[实用新型]一种钙钛矿薄膜后处理设备有效
申请号: | 201720629820.6 | 申请日: | 2017-06-02 |
公开(公告)号: | CN207009480U | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 杭州纤纳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 浙江一墨律师事务所33252 | 代理人: | 陈红珊,杨馨雨 |
地址: | 311121 浙江省杭州市余杭区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种钙钛矿薄膜后处理设备,包括溶液喷涂清洗部分和/或溶剂沉积部分,溶液喷涂清洗部分包括第一传送装置、第一密闭腔室以及溶液喷涂装置、高压气体喷嘴装置和高温干燥装置,高压气体喷嘴装置设置在溶液喷涂装置和高温干燥装置之间,第一传送装置横跨第一密闭腔室。溶剂沉积部分包括传动轴装置、第二密闭腔室以及加热装置和溶剂蒸发装置,溶剂蒸发装置靠近溶液喷涂清洗部分,传动轴装置的转动轴从上下设置的加热装置和溶剂蒸发装置之间通过。本实用新型对已制备了钙钛矿薄膜基片进行后续清洗和退火处理,对钙钛矿薄膜的缺陷进行修补处理,进一步提高钙钛矿薄膜的质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 薄膜 处理 设备 | ||
【主权项】:
一种钙钛矿薄膜后处理设备,其特征在于,包括溶液喷涂清洗部分和溶剂沉积部分,所述溶液喷涂清洗部分包括可控制进出的第一密闭腔室以及设置在第一密闭腔室内的溶液喷涂装置、高压气体喷嘴装置和高温干燥装置,所述高压气体喷嘴装置设置在溶液喷涂装置和高温干燥装置之间,在所述第一密闭腔室上还设置有第一排气管道,所述溶液喷涂清洗部分还包括输送钙钛矿薄膜基片的第一传送装置,所述第一传送装置横跨所述第一密闭腔室,所述第一传送装置的传送带或传送轴设置在溶液喷涂装置、高压气体喷嘴装置和高温干燥装置的正下方;所述溶剂沉积部分包括可控制进出的第二密闭腔室以及设置在第二密闭腔室内的加热装置和溶剂蒸发装置,所述溶剂蒸发装置靠近溶液喷涂清洗部分,在所述第二密闭腔室上还设置有第二排气管道,所述溶剂沉积部分还包括横跨第二密闭腔室的传动轴装置,所述传动轴装置与第一传送装置衔接,用于传送从第一传送装置传输来的钙钛矿薄膜基片进入第二密闭腔室内,所述传动轴装置的转动轴从上下设置的加热装置和溶剂蒸发装置之间通过。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州纤纳光电科技有限公司,未经杭州纤纳光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720629820.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择