[实用新型]基于电流复用电容交叉耦合共栅低噪声放大器电路

摘要

本实用新型涉及一种基于电流复用电容交叉耦合共栅低噪声放大器电路，其主要由两个NMOS管、两个PMOS管、九个电容、五个电感和四个电阻组成，采用电流复用技术，在相同的偏置电流情况下，通过电容交叉耦合共栅NMOS输入管对、电容交叉耦合共栅PMOS输入管对共同产生输入跨导。在相同偏置电流情况下提高了输入电压‑输出电流的转换效率，使低噪声放大器的等效输入跨导增加，提高了低噪声放大器的电压增益。同时，由于流过两个电容交叉耦合共栅输入管对的电流为同一电流，所产生的沟道电流噪声之间具有很强的相关性，低噪声放大器的噪声并没有按比例增加，因此该结构的噪声系数相比传统的结构具有一定的改进。

主权项

一种基于电流复用电容交叉耦合共栅低噪声放大器电路，其特征在于主要由两个NMOS管、两个PMOS管、九个电容、五个电感和四个电阻组成，其中第一电容的第一端和第二电容的第一端连接，作为同相输入端，第三电容的第一端和第四电容的第一端连接，作为反相输入端；第一电容的第二端、第一电感的第一端、第五电容的第一端和第一输入NMOS管的源极连接，第二电容的第二端、第二电感的第一端、第七电容的第一端和第一输入PMOS管的源极连接；第三电容的第二端、第三电感的第一端、第六电容的第一端和第二输入NMOS管的源极连接；第四电容的第二端、第四电感的第一端、第八电容的第一端和第二输入PMOS管的源极连接；第五电容的第二端、第一电阻的第一端和第二输入NMOS管的栅极连接；第六电容的第二端、第二电阻的第一端和第一输入NMOS管的栅极连接；第七电容的第二端、第三电阻的第一端和第二输入PMOS管的栅极连接；第八电容的第二端、第四电阻的第一端和第一输入PMOS管的栅极连接；第一电阻的第二端和第二电阻的第二端连接，作为第一偏置输入端；第三电阻的第二端和第四电阻的第二端连接，作为第二偏置输入端；第一电感的第二端和第三电感的第二端连接并接地；第二电感的第二端与第四电感的第二端连接并接电源；第一输入NMOS管的漏极、第一输入PMOS管的漏极、第五电阻的第一端、第五电感的第一端和第九电容的第一端连接，作为同相输出端；第二输入NMOS管的漏极、第二输入PMOS管的漏极、第五电阻的第二端、第五电感的第二端和第九电容的第二端连接，作为反相输出端。