[实用新型]双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池

摘要

本实用新型提供一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池，包括n型硅衬底；窗口层，包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅；背场层，包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅；第一透明导电薄膜；第二透明导电薄膜；第一电极；以及第二电极。本实用新型的双面受光太阳电池使用具有宽光学带隙、低缺陷密度的本征非晶硅或者微晶硅以及n型非晶硅或者微晶硅薄膜叠层作为窗口层，有效降低窗口层的缺陷密度，减少对太阳光的吸收损失，提高太阳电池和光伏组件的光电转换效率和发电功率输出。与现有的HIT电池相比，本实用新型具有更宽的工艺窗口，有利于大批量生产的工艺控制和管理。

主权项

一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括：n型硅衬底，其具有相对的第一表面及第二表面；窗口层，形成于所述n型硅衬底的第一表面，其包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅；背场层，形成于所述n型硅衬底的第二表面，其包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅；第一透明导电薄膜，形成于所述窗口层表面；第二透明导电薄膜，形成于所述背场层表面；第一电极，制作于所述第一透明导电薄膜上；第二电极，制作于所述第二透明导电薄膜上。