[实用新型]一种应用于SOT26半导体封装的集成电路新型结构有效
| 申请号： | 201720648488.8 | 申请日： | 2017-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN207082523U | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 陈林;郑天凤;朱仕镇;韩壮勇;朱文锋;吴富友;刘志华;刘群英;朱海涛;张团结;王鹏飞;曹丙平;周贝贝 | 申请（专利权）人： | 深圳市三联盛科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/495 |
| 代理公司： | 深圳市深软翰琪知识产权代理有限公司44380 | 代理人： | 吴雅丽,孙勇娟 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种应用于SOT26半导体封装的集成电路新型结构，其包括基岛以及基岛上设置的芯片；所述基岛上设有用于粘接芯片的下凹平台，下凹平台位于基岛的中心位置，且下凹平台的面积大于芯片的面积；其中，下凹平台上还具有一导热带，导热带的长度大于芯片的长度，导热带的宽度小于芯片的宽度；导热带上涂覆导热硅脂，下凹平台的其余区域涂覆有绝缘散热硅胶，芯片固定于粘接于绝缘散热硅胶之上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 sot26 半导体 封装 集成电路 新型 结构 | ||
【主权项】：
一种应用于SOT26半导体封装的集成电路新型结构，其特征在于：包括基岛以及基岛上设置的芯片；所述基岛上设有用于粘接芯片的下凹平台，下凹平台位于基岛的中心位置，且下凹平台的面积大于芯片的面积；其中，下凹平台上还具有一导热带，导热带的长度大于芯片的长度，导热带的宽度小于芯片的宽度；导热带上涂覆导热硅脂，下凹平台的其余区域涂覆有绝缘散热硅胶，芯片固定于粘接于绝缘散热硅胶之上。
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