[实用新型]肖特基器件结构有效
| 申请号： | 201720655357.2 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN207009443U | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 陈茜;蒋建 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种肖特基器件结构，包括N型外延层，其形成有多个第一沟槽以及位于第一沟槽外围区域的第二沟槽；氧化层及多晶硅，形成于第一沟槽及第二沟槽内；第三沟槽，去除第一沟槽内的部分多晶硅及氧化层而成；金属硅化物，形成于第三沟槽的底部及侧壁；导电材料，填充于第三沟槽内；以及上金属电极结构。本实用新型可有效增加肖特基区域面积，降低正向导通电压VF；并且利用沟槽结构，降低了漏电流IR；同时在测试和封装打线的金属与下方器件层间增加介质层，以缓冲外界应力的作用，使外来压应力通过介质层分散到整个芯片。本实用新型的肖特基结从平面结构改为垂直结构，使外加压应力不直接作用到肖特基势垒，可以增大封装工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种肖特基器件结构，其特征在于，包括：N型外延层，所述N型外延层中形成有多个第一沟槽以及位于所述多个第一沟槽外围区域的第二沟槽；氧化层，形成于所述第一沟槽及第二沟槽表面；多晶硅，填充于所述第一沟槽及第二沟槽内；第三沟槽，去除所述第一沟槽内的部分多晶硅及氧化层而成；金属硅化物，形成于所述第三沟槽的底部及侧壁，以形成肖特基结；导电材料，填充于所述第三沟槽内；以及上金属电极结构。
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