[实用新型]图像传感器像素单元和成像系统有效
| 申请号： | 201720656785.7 | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN207184624U | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | M·因诺森特;T·格蒂斯 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H04N5/225 | 分类号： | H04N5/225;H04N5/369;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及图像传感器像素单元和成像系统。所述图像传感器像素单元包括光电二极管，所述光电二极管响应于入射光而生成电荷；第一电荷存储区、第二电荷存储区和第三电荷存储区；第一晶体管，所述第一晶体管被配置为将所述生成电荷的第一部分转移到所述第一电荷存储区；第二晶体管，所述第二晶体管被配置为将所述生成电荷的第二部分转移到所述第二电荷存储区；以及第三晶体管，所述第三晶体管被配置为将所述生成电荷的所述第二部分从所述第二电荷存储区转移到所述第三电荷存储区。本实用新型解决的一个技术问题是提供具有改进的图像传感器像素单元的成像设备。本实用新型实现的一个技术效果是提供改进的图像传感器像素单元和改进的系统。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 像素 单元 成像 系统 | ||
【主权项】：
一种图像传感器像素单元，包括：光电二极管，所述光电二极管响应于入射光而生成电荷；第一电荷存储区、第二电荷存储区和第三电荷存储区；第一晶体管，所述第一晶体管被配置为将所述生成电荷的第一部分转移到所述第一电荷存储区；第二晶体管，所述第二晶体管被配置为将所述生成电荷的第二部分转移到所述第二电荷存储区；以及第三晶体管，所述第三晶体管被配置为将所述生成电荷的所述第二部分从所述第二电荷存储区转移到所述第三电荷存储区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司，未经半导体元件工业有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201720656785.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可远讲拾音降噪消回音的摄像头
- 下一篇：一种4G摄像头
