[实用新型]氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极调制电路有效
| 申请号： | 201720674856.6 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN207070035U | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 多新中;陈容传;李宝国;马勇 | 申请（专利权）人： | 北京华通芯电科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙)11447 | 代理人： | 魏嘉熹,南毅宁 |
| 地址： | 100094 北京市海淀区丰*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极调制电路。本公开氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极调制电路，包括脉冲驱动电路、开关电路和过冲保护电路；所述脉冲驱动电路用于产生两路电平相反的脉冲信号；所述开关电路用于控制N型金属氧化物半导体NMOS的开通和关断；所述过冲保护电路用于控制所述氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT的漏极调制电路的输出电压。本公开采用NMOS作为电源与GaN HEMT的漏极之间的开关器件，其尺寸较小、价格相对便宜，降低了电路的整体成本与面积，并且解决了在电源电流剧烈变化时产生的巨大过冲，保护了GaN HEMT的漏极调制电路中的NMOS开关器件，提高了电路的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 电子 迁移率 晶体管 调制 电路 | ||
【主权项】：
一种氮化镓高电子迁移率晶体管GaNHEMT的漏极调制电路，其特征在于，包括：脉冲驱动电路、开关电路和过冲保护电路；所述脉冲驱动电路用于产生两路电平相反的脉冲信号；所述开关电路用于控制N型金属氧化物半导体NMOS的开通和关断；所述过冲保护电路用于控制所述GaNHEMT的漏极调制电路的输出电压。
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