[实用新型]CVD生长多层异质结的装置有效
| 申请号： | 201720679431.4 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN206940981U | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 郭国平;杨晖;李海欧;曹刚;肖明;郭光灿 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/34;C23C16/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 穆彬 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种CVD生长多层异质结的装置，所述装置包括CVD生长腔室和传动装置，所述腔室底部载有基底铜箔，基底铜箔上方设有加热装置，从而在基底铜箔和加热装置之间形成高温生长区；所述传动装置设置在所述CVD生长腔室内，包括步进电机和传送带，所述传送带表面包裹有铜箔；其中，所述传送带与所述步进电机通过连接机构连接，从而所述传送带在步进电机的控制下旋转，包裹有铜箔的传送带穿过所述高温生长区。 | ||
| 搜索关键词： | cvd 生长 多层 异质结 装置 | ||
【主权项】：
一种用于制备多层二维材料异质结的装置，所述装置包括：1)CVD生长腔室，所述腔室底部载有基底铜箔，基底铜箔上方设有加热装置，从而在基底铜箔和加热装置之间形成高温生长区；2)传动装置，所述传动装置设置在所述CVD生长腔室内，包括步进电机和传送带，所述传送带表面包裹有铜箔；其中，所述传送带与所述步进电机通过连接机构连接，从而所述传送带在步进电机的控制下旋转，包裹有铜箔的传送带穿过所述高温生长区。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
