[实用新型]一种氧化物薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201720690215.X | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN207038530U | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;刘贤哲;姚日晖;李晓庆;张啸尘;吴为敬;徐苗;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/443;H01L21/477 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于显示器件技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管。所述氧化物薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、AlNd薄膜栅极、AlOxNd栅极绝缘层、氧化物半导体薄膜有源层、MoOx中间氧化层和Mo源/漏电极构成，所述MoOx中间氧化层自生成于Mo源/漏电极与有源层的接触界面之间。本实用新型在源/漏电极与有源层之间形成MoOx中间氧化层，能阻碍电极材料原子向有源层中扩散，实现源/漏电极和有源层之间欧姆接触，并有效地减少工艺步骤，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于：由依次层叠的玻璃基板、Al:Nd薄膜栅极、AlOx:Nd栅极绝缘层、氧化物半导体薄膜有源层、MoOx中间氧化层和Mo源/漏电极构成，所述MoOx中间氧化层自生成于Mo源/漏电极与有源层的接触界面之间。
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