[实用新型]一种半导体量子器件

摘要

本实用新型提供了一种半导体量子器件，包括GaAs衬底；所述GaAs衬底表面设置有二维电子气导通平台；所述二维电子气导通平台中间设置有二维电子气窄带平台；所述第一纳米窄带与第二纳米窄带宽度方向的两侧设置有量子点小电极；所述二维电子气导通平台的端部沉积有欧姆接触电极；所述GaAs衬底的表面在二维电子气导通平台的外围设置有金属栅极；所述金属栅极与所述量子点小电极一端相接触。与现有技术相比，本实用新型通过蚀刻二维电子气导通平台形成第一纳米窄带与第二纳米窄带，将肖特基电极下方的大部分二维电子气直接移除，浅刻蚀量子点拥有比传统结构量子点低一个量级的低频电荷噪声，为量子比特和量子计算研究提供了一个新的结构体系。

主权项

一种半导体量子器件，其特征在于，包括：GaAs衬底；所述GaAs衬底表面设置有二维电子气导通平台；所述二维电子气导通平台包括由下到上依次设置的AlGaAs缓冲层、AlGaAs掺杂层、AlGaAs隔离层与GaAs盖帽层；所述二维电子气导通平台中设置有二维电子气窄带平台；所述二维电子气窄带平台包括第一浅蚀刻区、第二浅蚀刻区、第三浅蚀刻区、第一浅蚀刻区与第二浅蚀刻区之间的第一纳米窄带、第二浅蚀刻区与第三浅蚀刻区之间的第二纳米窄带；且所述第一纳米窄带与第二纳米窄带不连通，所述二维电子气导通平台在第一纳米窄带与第二纳米窄带宽度的方向不连通；所述第一纳米窄带与第二纳米窄带宽度方向的两侧设置有量子点小电极，且所述量子点小电极的一端延伸至第一纳米窄带内或第二纳米窄带内；所述二维电子气导通平台远离二维电子气窄带平台的端部沉积有欧姆接触电极；所述GaAs衬底的表面在二维电子气导通平台的外围设置有金属栅极；所述金属栅极与所述量子点小电极不延伸至第一纳米窄带内或第二纳米窄带内的一端相接触。